Жесткие диски в Иваново

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 2000; Скорость вращения: 5400; Объем буфера: 64; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 1000000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 70; Уровень шума работы: 26; Потребляемая мощность: 4; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.3; Уровень шума простоя: 21; Высота: 26.1
Компания производитель: Western Digital

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 512
Компания производитель: Seagate

Объем: 3.2 Тб; Форм-фактор: 2.5" (NVMe, U.2); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D XPoint; Аппаратное шифрование: есть
Компания производитель: Intel

Объем: 1; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Компания производитель: ТМИ

Средняя скорость случайной записи: 30 000 IOps; Ресурс записи: 36500 TBW; Радиатор охлаждения: нет; Подсветка: нет; Дата выхода на рынок: 2021
Компания производитель: Intel

Высота: 26.1 мм; Уровень шума простоя: 34 Дб; Потребляемая мощность в спящем режиме: 8 Вт; Потребляемая мощность: 9.2 Вт; Уровень шума работы: 38 Дб
Компания производитель: Western Digital

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 1000 Гб; Скорость вращения: 5400 rpm; Объем буфера: 256 Мб
Компания производитель: Seagate

Время наработки на отказ: 2500000 ч; Высота: 26.1 мм; Уровень шума простоя: 20 Дб; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.6 Вт; Потребляемая мощность: 6.7 Вт
Компания производитель: Western Digital

Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Высота: 26.11 мм; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.8 Вт; Потребляемая мощность: 7.3 Вт; Уровень шума работы: 28 Дб
Компания производитель: Seagate

Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: ТМИ

Вес: 198 г; Длина: 100.45 мм; Высота: 15 мм; Ширина: 70.1 мм; Уровень шума простоя: 28 Дб
Компания производитель: Seagate

Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Скорость последовательного чтения: 545 Мб/с; Энергопотребление (чтение/запись): 1.7 Вт
Компания производитель: Western Digital

Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Ресурс записи: 1366 TBW; Дата выхода на рынок: 2018; Толщина: 7 мм
Компания производитель: Samsung

Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 700 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 800 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5.5; Энергопотребление (ожидание): 0.06; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Piccolo; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 1200 TBW
Компания производитель: Samsung

Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 5.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 2 200 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 2 200 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 7; Энергопотребление (ожидание): 0.27; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 2.3; Контроллер: Silicon Motion SM2508; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 2000 TBW
Компания производитель: Kingston

Среднее время доступа: 4.16 мс; Потребляемая мощность в спящем режиме: 6.04 Вт; Потребляемая мощность: 10.32 Вт; Ударостойкость при работе: 70 G; Ударостойкость при хранении: 300 G
Компания производитель: Seagate

Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Компания производитель: SunWind

Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 5.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 2 000 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 650 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 4.5; Контроллер: Silicon Motion SM2508; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: A-Data

Высота: 26.1 мм; Уровень шума простоя: 20 Дб; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.7 Вт; Потребляемая мощность: 6.6 Вт; Уровень шума работы: 27 Дб
Компания производитель: Western Digital

Объем: 1; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 7450; Скорость последовательной записи: 5335; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 750 TBW
Компания производитель: Hiksemi

Объем: 4; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 5.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 2 200 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 2 600 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 9; Энергопотребление (ожидание): 6.5; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Presto S4LY027; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Samsung

Объем: 0.250 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: Silicon Power

Высота: 26.1 мм; Уровень шума простоя: 20 Дб; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.6 Вт; Потребляемая мощность: 6.3 Вт; Уровень шума работы: 29 Дб
Компания производитель: Western Digital

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 4000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 256; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 2500000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 65; Уровень шума работы: 36; Потребляемая мощность: 6.7; Потребляемая мощность в спящем режиме: 1.3; Уровень шума простоя: 29; Высота: 26.1
Компания производитель: Western Digital

Объем: 0.24; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Толщина: 2.8; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: AMD

Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 5.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 1 850 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 2 600 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 7.6; Энергопотребление (ожидание): 4; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Presto S4LY027; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 600 TBW
Компания производитель: Samsung

Объем: 0.26; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 480; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Hiksemi

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 1000 Гб; Скорость вращения: 5700 rpm; Объем буфера: 64 Мб
Компания производитель: Toshiba

Объем: 0.96; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: U.2 (PCIe NVMe Gen3 x4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 3100; Скорость последовательной записи: 1700; Средняя скорость случайного чтения: 440 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 150 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 11.4; Энергопотребление (ожидание): 6.3; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 14.75; Ресурс записи: 1681 TBW
Компания производитель: Kingston

Высота: 26.11 мм; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.9 Вт; Потребляемая мощность: 10.3 Вт; Ударостойкость при работе: 40 G; Ударостойкость при хранении: 150 G
Компания производитель: Seagate

Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Высота: 25.4 мм; Уровень шума простоя: 29 Дб; Потребляемая мощность в спящем режиме: 1.2 Вт; Потребляемая мощность: 6.8 Вт
Компания производитель: Western Digital

Высота: 26.1 мм; Уровень шума простоя: 20 Дб; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.5 Вт; Потребляемая мощность: 8.4 Вт; Уровень шума работы: 32 Дб
Компания производитель: Western Digital

Объем: 1; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 7000; Скорость последовательной записи: 6000; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 750 TBW
Компания производитель: Hiksemi

Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 5.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 1 850 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 2 600 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 8.1; Энергопотребление (ожидание): 4.8; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Presto S4LY027; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 1200 TBW
Компания производитель: Samsung

Объем: 2; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 7100; Скорость последовательной записи: 6350; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Hiksemi

Объем: 1; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 7000; Скорость последовательной записи: 6000; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 750 TBW
Компания производитель: Hiksemi