Жесткие диски в Иваново

Форм-фактор: 2.5"; Тип: гибридный; Скорость вращения: 10000; Объем буфера: 256; Количество пластин: 3; Интерфейс SAS: есть; Ударостойкость при хранении: 400; Ударостойкость при работе: 40; Потребляемая мощность: 7.5; Потребляемая мощность в спящем режиме: 4.4; Уровень шума простоя: 31; Высота: 15
Компания производитель: Seagate

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 8000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 256; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 1000000; Ударостойкость при хранении: 250; Ударостойкость при работе: 70; Уровень шума работы: 32; Потребляемая мощность: 8.8; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.6; Высота: 26.11
Компания производитель: Seagate

Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 248 300 IOps
Компания производитель: AMD

Объем: 2; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 540; Скорость последовательной записи: 500; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 7; Контроллер: Silicon Motion SM2258XT; Дата выхода на рынок: 2018
Компания производитель: Crucial

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 16000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 256; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 2500000; Ударостойкость при хранении: 200; Ударостойкость при работе: 50; Потребляемая мощность: 10.2; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5; Высота: 26.11
Компания производитель: Seagate

2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 30000/65000 IOps
Компания производитель: A-Data

2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/65000 IOps
Компания производитель: A-Data

Объем: 0.12 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: SATA 3.0 Тип микросхем Flash: TLC Аппаратное шифрование: нет Скорость последовательного чтения: 500 Мб/с Скорость последовательной записи: 470 Мб/с
Компания производитель: Apacer

3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5400 об/мин, буфер 128 МБ, время доступа 4.2 мс
Компания производитель: Toshiba

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, последовательный доступ: 500/400 MBps, случайный доступ: 50000/30000 IOps
Компания производитель: Patriot

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps
Компания производитель: Patriot

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, последовательный доступ: 450/430 MBps, случайный доступ: 30000/30000 IOps
Компания производитель: Patriot

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps
Компания производитель: Kingston

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, последовательный доступ: 520/430 MBps, случайный доступ: 50000/50000 IOps
Компания производитель: Patriot

Объем: 0.12 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: SATA 3.0 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с Скорость последовательной записи: 330 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 42 000 IOps
Компания производитель: AMD

Объем: 0.48 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения: 2100 Мб/с Скорость последовательной записи: 1600 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 249 100 IOps
Компания производитель: AMD

Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 000000 ч
Компания производитель: Silicon Power

Объем: 0.512 Тб; Форм-фактор: mSATA; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: KingSpec

Энергопотребление (чтение/запись): 10.2 Вт; Совместимость с PS5: есть; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Размеры М.2: 2280; Радиатор охлаждения: есть
Компания производитель: Kingston

Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (32-слойная 384-Гбит); Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: Silicon Power

Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: MICRON

Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с
Компания производитель: Patriot

Назначение: для ноутбука Форм-фактор: 2.5" Тип: HDD Емкость: 500 Гб Поддержка секторов размером 4 Кб: есть Скорость вращения: 5400 rpm Внешняя скорость передачи данных: 600 Мб/с
Компания производитель: Toshiba

Объем: 0.25; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (128-слоев); Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 6400; Скорость последовательной записи: 2700; Средняя скорость случайного чтения: 500 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 600 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5; Энергопотребление (ожидание): 0.04; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Elpis; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 150 TBW; Буфер обмена: 512
Компания производитель: Samsung

Объем: 0.96; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 530; Скорость последовательной записи: 500; Средняя скорость случайного чтения: 69 600 IOps; Средняя скорость случайной записи: 78 600 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 3.5; Контроллер: Silicon Motion SM2258; Дата выхода на рынок: 2018; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: AMD

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 1000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 128; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 2000000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 65; Потребляемая мощность: 8.1; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.9; Высота: 26
Компания производитель: Western Digital

Объем: 0.24; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 520; Скорость последовательной записи: 450; Средняя скорость случайного чтения: 40 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 75 000 IOps; Толщина: 7; Контроллер: Silicon Motion SM2258; Дата выхода на рынок: 2017
Компания производитель: A-Data

Объем: 0.12; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: TLC; Скорость последовательного чтения: 500; Скорость последовательной записи: 375; Энергопотребление (чтение/запись): 1.45; Энергопотребление (ожидание): 0.33; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 7; Дата выхода на рынок: 2016
Компания производитель: Apacer

Объем: 0.5; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 530; Средняя скорость случайного чтения: 95 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 85 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 3.35; Энергопотребление (ожидание): 0.56; Толщина: 7; Дата выхода на рынок: 2019
Компания производитель: Western Digital

Форм-фактор: 2.5"; Тип: HDD; Емкость: 1000; Скорость вращения: 5400; Объем буфера: 128; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 600000; Ударостойкость при хранении: 1000; Ударостойкость при работе: 400; Потребляемая мощность: 1.65; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.85; Уровень шума простоя: 19; Высота: 7
Компания производитель: Toshiba

Объем: 1; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 530; Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 4; Энергопотребление (ожидание): 0.03; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 6.8; Контроллер: Samsung MGX; Ресурс записи: 150 TBW; Буфер обмена: 1024
Компания производитель: Samsung

Объем: 0.5; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 530; Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 3.5; Энергопотребление (ожидание): 0.03; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 6.8; Ресурс записи: 150 TBW; Буфер обмена: 512
Компания производитель: Samsung

Объем: 0.24; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 2100; Скорость последовательной записи: 1000; Средняя скорость случайного чтения: 200 250 IOps; Средняя скорость случайной записи: 206 100 IOps; Контроллер: Silicon Motion SM2263XT; Дата выхода на рынок: 2018; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: AMD

Средняя скорость случайной записи: 70 000 IOps; Ресурс записи: 200 TBW; Радиатор охлаждения: нет; Дата выхода на рынок: 2018; Контроллер: Phison PS3111-S11
Компания производитель: Gigabyte

Высота: 7 мм; Уровень шума простоя: 24 Дб; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.25 Вт; Потребляемая мощность: 2 Вт; Уровень шума работы: 25 Дб
Компания производитель: Western Digital

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 6144; Поддержка секторов размером 4 Кб; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 256; Интерфейс SATA: SATA 3.0; Время наработки на отказ: 2000000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 70; Уровень шума работы: 36; Потребляемая мощность: 7; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.9; Уровень шума простоя: 29; Высота: 26.1
Компания производитель: Western Digital